全球存储芯片行业正处于一个关键的十字路口：资本开支急速扩张，但产能释放速度却远落后于投资规模，供给约束短期内难以消退。

据追风交易台，摩根大通4月22日发布研报，该行已将2027年全球存储行业资本开支预测从2025年9月的830亿美元大幅上调至2026年3月的1440亿美元，涨幅达74%。

然而，受制于HBM芯片面积损耗、晶圆制程步骤增加、设备交货期拉长及基础设施投资周期延长等多重因素，同期DRAM与NAND的比特供应量预测仅各上调约12至14%。资本开支激增并未同步转化为产能释放。

三大亚洲主要存储厂商即将密集发布季报：SK海力士将于4月23日率先披露，三星电子紧随其后将于4月30日公布业绩，铠侠则定于5月15日发布结果。

相比此前季度，2026年第二季度将是存储行业在AI计算领域角色及长期经济性方面的关键压力测试季，核心观察维度包括客户定价接受度、战略长期供应协议进展以及HBM路线图执行情况。

对投资者而言，当前存储板块估值相对于2027年每股盈利增长明显低估，折射出市场对明年存储支出可持续性的悲观预期。目前任何令市场对2027年需求前景更有信心的信号，均应被视为股价正面催化剂。

HBM供需缺口或延续三年

HBM在AI训练与推理的解码阶段扮演核心角色，模型参数规模持续扩大、KV缓存与上下文窗口大幅增长，均在持续推高HBM需求。

预测未来三年HBM供需缺口仍将持续存在。在晶圆分配策略上，预计各大DRAM厂商将继续优先保障HBM产能，原因在于满足HBM需求能够带动关联的常规DRAM与NAND消费。

鉴于谷歌及亚马逊ASIC项目需求持续强劲，预计主要DRAM厂商将在财报沟通中着重强调HBM内容增长机会的进一步拓宽。

在定价层面，该行判断明年HBM价格走势偏向上行——多数投资者的定价预期较摩根大通更为激进。

定价涨势延续，消费级升幅或超企业级

继2026年第一季度存储价格强势表现之后，市场普遍预期第二季度环比价格涨幅将达30至50%，且消费类（PC与移动端）应用的涨价幅度有望超过服务器端。

随着企业级（B2B）与消费级（B2C）应用之间每GB单价差距持续扩大，存储厂商正努力平衡不同客户群体的盈利结构，部分消费类终端客户已接受超过50%的涨价方案。

今年3月，存储行业曾遭遇一波负面叙事冲击：市场担忧硬件（SRAM）和软件（数据压缩技术）层面的优化，可能降低AI系统对内存的总体消耗需求，进而挑战存储芯片在AI计算中不可或缺地位的核心假设。

对此，存储供应商的回应是：客户仍在持续优化服务器系统架构以最大化算力输出，内存增长并无放缓迹象。

长期供应协议预期落地，条款细节是关键

继Micron在近期业绩电话会就长期供应协议（LTA）展开讨论之后，行业各方普遍预判LTA将以某种形式很快落地。

存储行业的LTA将是有史以来规模最大的供应合约，预计厂商仍需一定时间才能对外披露合同的具体细节。

投资者关注的焦点将集中在：合同期限、交付量结构、合同期内目标定价与盈利水平，以及预付款条款等。

更需关注的是存储厂商与核心客户共同构建需求能见度的整体推进过程。LTA正式宣布后，厂商中长期战略方向、资本投入原则及股东回报计划的后续更新，将成为衡量厂商对LTA信心程度的重要参考维度。

个股焦点：三星劳资谈判，铠侠中期战略，SK海力士ADR进展

在公司个股层面，投资者对三星电子的首要关注点是劳资纠纷的潜在影响。罢工对前段晶圆制造环节影响有限，但对劳动密集型模组封装与交付环节可能造成部分延误，市场更关心其对劳动力成本影响。