消息面上,韩国总统府消息,29号,三星与海力士将发布大规模投资计划,今后十年投资金额有望超1000万亿韩元,折合约4.42万亿人民币。
机构指出,这轮的扩产久期会很久,当前国内存储NAND+dram总月产能50万片出头,占比约全球总产能仅12%左右。中期规划国内存储应占到全球1/3供应量,所以国内投资力度会高于韩国水平。线性来看,韩国年均投资约4.5千亿人民币,而26年国内半导体设备(逻辑+存储)总资本开支中性预期仅450e美元(约3000e人民币),远低于韩国的存储投资,未来capex有望持续上修。
截至2026年6月29日 09:34,上证科创板半导体材料设备主题指数(950125)强势上涨3.60%,成分股神工股份上涨18.06%,金宏气体上涨9.91%,京仪装备上涨9.75%,中巨芯,有研硅等个股跟涨。科创半导体设备ETF鹏华(589020)高开高走上涨3.46%,冲击10连涨。最新价报3.02元。
科创半导体设备ETF鹏华紧密跟踪上证科创板半导体材料设备主题指数,上证科创板半导体材料设备主题指数选取科创板内业务涉及半导体材料和半导体设备等领域的上市公司证券作为指数样本,以反映科创板半导体材料和设备上市公司证券的整体表现。
数据显示,截至2026年5月29日,上证科创板半导体材料设备主题指数(950125)前十大权重股分别为拓荆科技、华海清科、中微公司、沪硅产业、中科飞测、芯源微、华峰测控、安集科技、天岳先进、中船特气,前十大权重股合计占比72.71%。
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