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芯迈半导体申请降低栅漏电容的半导体器件专利，加快开关速度

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2026-08-18 09:29:47

国家知识产权局信息显示，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司申请一项名为“半导体器件及半导体器件的制备方法”的专利，公开号CN122602553A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及半导体器件的制备方法，包括：基底、源区、栅极沟槽、栅电极、介电区以及注入区；基底包括衬底和位于衬底上的外延层；源区位于外延层上；栅极沟槽由源区的顶面延伸至外延层内；栅电极位于栅极沟槽底部；介电区嵌于栅极沟槽底部的基底内，介电区的顶部与栅电极底部接触；注入区位于栅极沟槽底部周侧的外延层内，其中，注入区的底面低于栅极沟槽的底面，且注入区的上表面高于栅电极的上表面。本申请通过于栅电极与漏电极之间的基底内形成介电区，降低了栅极与漏极之间的栅漏电容，即降低了反向传输电容与输出电容，从而加快开关速度，降低开关损耗。

天眼查资料显示，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息230条，此外企业还拥有行政许可8个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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