宜矽源半导体取得锂电池低边放电驱动增强电路专利，实现重载应用场景对放电MOS开关管的快速开关控制_基础建设

宜矽源半导体取得锂电池低边放电驱动增强电路专利，实现重载应用场景对放电MOS开关管的快速开关控制

创始人

2026-05-06 07:53:11

国家知识产权局信息显示，宜矽源半导体南京有限公司取得一项名为“一种锂电池低边放电驱动增强电路”的专利，授权公告号CN224138744U，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种锂电池低边放电驱动增强电路，属于电池管理系统BMS领域，安装在电池保护板的电池负极(BAT‑)跟负载地(P‑)之间，包含电平转换电路、放电开关加速电路、浪涌吸收电路。所述的电平转换电路以及放电开关加速电路，包含开关二极管D1、NPN三极管Q1、PNP三极管Q2、NPN三极管Q3、NPN三极管Q4、放电NMOS管Q5、电阻R1~R9；所述的浪涌吸收电路，包含电容C1、电阻R10、TVS管D2。本电路解决了解决电池管理芯片所提供的放电驱动的驱动能力不足的问题，实现重载应用场景对放电MOS开关管的快速开关控制。

天眼查资料显示，宜矽源半导体南京有限公司，成立于2016年，位于南京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1398.8279万人民币。通过天眼查大数据分析，宜矽源半导体南京有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息26条，此外企业还拥有行政许可9个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业锂电池重载投资电路三极管开关放电导体专利矽源

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