总投资1.2亿元，又一磷化铟项目签约_基础建设

总投资1.2亿元，又一磷化铟项目签约

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2026-08-21 22:49:33

8月18日，晶耀芯辉磷化铟光芯片生产基地项目正式签约落户常州市钟楼区。

项目总投资额1.2亿元，规划建设约3000平方米专业化产线，瞄准磷化铟外延材料、高速激光器芯片的研发与制造，建成之后设计年产能可达3000万颗光芯片，产品主要供给AI算力数据中心、高速光通信市场。

南京晶耀芯辉2023年成立，是一家主攻磷化铟赛道的科创企业，核心产品覆盖100G、200G高速EML激光器芯片，以及适配硅光方案的大功率CW光源芯片，面向800G、1.6T高速光模块市场，补齐国内高端InP光芯片产能缺口。在此之前，常州钟楼区旗下产业基金已经完成对晶耀芯辉的股权投资，为本次项目落地打下基础。

磷化铟是高速光芯片的核心基底材料，当前AI算力建设带动高速光模块需求快速上行，国内具备完整自主制造能力的磷化铟芯片厂商数量有限。新基地落地之后，企业将打通从外延生长、芯片流片到测试的制造环节，提升高速激光芯片的自主交付能力，也进一步壮大常州化合物半导体、光通信芯片产业集群规模。

（文/集邦化合物半导体整理）

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