玄晶纪元申请三维高密度功率开关装置专利，降低驱动信号的延迟效应和寄生电感对驱动信号的干扰问题_消费观察

玄晶纪元申请三维高密度功率开关装置专利，降低驱动信号的延迟效应和寄生电感对驱动信号的干扰问题

创始人

2026-09-13 00:21:08

国家知识产权局信息显示，玄晶纪元（江苏）半导体有限公司申请一项名为“三维高密度功率开关装置”的专利，公开号CN122740572A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本申请公开一种三维高密度功率开关装置，涉及功率半导体器件技术领域，该装置包括垂直固定于金属底板上的至少两个金属立柱，沿金属底板的中心轴线对称设置，多个IGBT功率器件模组分别贴设于金属立柱的侧面并呈对称阵列分布，第一层电路板和第二层电路板层叠间隔设置于金属立柱的上方，壳体与金属底板形成用于容纳金属立柱、IGBT功率器件模组、第一层电路板和第二层电路板的腔体，金属立柱与金属底板形成散热通道，以将多个IGBT功率器件模组产生的热量经金属立柱传导至腔体外部。本申请降低了功率器件模组的发热对驱动控制电路板的可靠性影响，同时降低驱动信号的延迟效应和寄生电感对驱动信号的干扰问题。

天眼查资料显示，玄晶纪元（江苏）半导体有限公司，成立于2025年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1039万人民币。通过天眼查大数据分析，玄晶纪元（江苏）半导体有限公司参与招投标项目1次，此外企业还拥有行政许可1个。

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来源：市场资讯

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