博之源申请开关电源高边N-MOS驱动电路及驱动方法专利，降低驱动电路芯片的面积与制造成本_商超零售

博之源申请开关电源高边N-MOS驱动电路及驱动方法专利，降低驱动电路芯片的面积与制造成本

创始人

2026-05-10 01:38:30

国家知识产权局信息显示，广州博之源科技有限公司申请一项名为“一种开关电源高边N-MOS驱动电路及驱动方法”的专利，公开号CN122001190A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请是关于一种开关电源高边N‑MOS驱动电路及驱动方法，包括：逻辑增强模块、电平转换模块采用标准5V CMOS器件组成，逻辑增强模块用于阶段性的增强接收的主控制器模块输出的逻辑信号；电平转换模块用于在低压域与高压域之间进行逻辑电平转换；驱动模块连接在逻辑增强模块输出端，将增强后的逻辑信号转换为适合外置功率N‑MOS管的驱动电平；供电模块用于为驱动模块提供高于电源电压的驱动电压；驱动模块采用高压NLDMOS或NDEMOS器件组成。本申请提供的方案，能够降低了驱动电路芯片的面积与制造成本，提升驱动电路的开关速度与工作频率，降低电路功耗。

天眼查资料显示，广州博之源科技有限公司，成立于2024年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，广州博之源科技有限公司财产线索方面有商标信息6条，专利信息20条，此外企业还拥有行政许可2个。

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来源：市场资讯

制造电平降低电路逻辑驱动芯片模块专利面积开关

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