晶铁半导体申请低热预算氧化铪基铁电薄膜退火工艺专利，避免对高退火温度的需求_基础建设

晶铁半导体申请低热预算氧化铪基铁电薄膜退火工艺专利，避免对高退火温度的需求

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2026-01-26 18:45:52

国家知识产权局信息显示，晶铁半导体技术（广东）有限公司申请一项名为“一种低热预算的氧化铪基铁电薄膜退火工艺及氧化铪基铁电薄膜”的专利，公开号CN121380889A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提出了一种低热预算的氧化铪基铁电薄膜退火工艺及氧化铪基铁电薄膜，涉及铁电薄膜领域，对所述氧化铪基铁电薄膜采用多次低温快速退火循环，包括以下步骤：以10‑80K/s的升温速率，升温至退火温度400℃，保温15‑120s，以不小于10K/s的冷却速率，冷却至室温后，再进行下一次退火循环。通过重复的快速退火循环改变薄膜内部缺陷分布；引入多次快速冷却，使薄膜内部产生多次增强的应力，协同调控氧化铪相变势垒，促进由非铁电的高温四方相向铁电正交相进行转变，避免了对高退火温度的需求。

天眼查资料显示，晶铁半导体技术（广东）有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本2339.1812万人民币。通过天眼查大数据分析，晶铁半导体技术（广东）有限公司共对外投资了2家企业，专利信息27条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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